时间：2025/5/8 19:48:35
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M21245G-14是一款基于SRAM工艺的高性能、高可靠性存储器芯片，主要应用于航空航天、军工以及工业控制领域。该芯片具有非易失性特点，能够在断电后保持数据完整性，同时具备高速读写能力和优异的抗辐射性能，确保在极端环境下稳定运行。
这款芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗特性，适合长时间运行的任务关键型应用场景。
类型：非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)
容量：2M x 32位
接口：标准并行接口
工作电压：3.0V至3.6V
工作温度范围：-55°C至+125°C
封装形式：陶瓷扁平封装(48引脚)
数据保存时间：超过10年
写入周期：无限制
抗辐射性能：总剂量高达100 krad(Si)
M21245G-14具有非易失性功能，在电源中断时通过内部电池或外部供电可以自动保存数据，无需额外的刷新操作。其高速访问速度可达70ns，非常适合实时数据采集和处理任务。
此外，该芯片具备极高的可靠性和稳定性，经过严格的质量检测流程，符合MIL-STD-883标准要求。它的宽温工作范围使其适用于极端环境下的应用，例如卫星通信、导弹制导系统等。同时，其抗辐射能力保证了在高辐射环境中的正常运作。
M21245G-14广泛应用于需要高可靠性、高稳定性的场景中，如航空航天领域的卫星、飞行器控制系统；军事领域的雷达、武器制导系统；工业自动化中的数据记录仪、实时监控设备等。
此外，由于其出色的抗辐射能力，也常用于核电站监测系统、深空探测设备以及其他对数据完整性有极高要求的场合。
M21245G-12
M21245F-14
