时间：2025/12/28 8:20:19
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M21151G-13是一款由Monolithic Power Systems（MPS）推出的同步降压变换器芯片，广泛应用于需要高效、紧凑电源解决方案的电子设备中。该器件集成了高压侧和低压侧功率MOSFET，能够在宽输入电压范围内实现高效的DC-DC转换。M21151G-13采用恒定导通时间（COT）控制模式，具有快速瞬态响应能力，能够有效应对负载变化带来的电压波动，确保输出电压的稳定性。该芯片封装小型化，适用于空间受限的应用场景，同时具备多种保护功能，提升了系统的可靠性与安全性。
工作输入电压范围：4.5V 至 18V
输出电压范围：0.8V 至 6V
最大输出电流：3A
开关频率：典型值为500kHz
反馈参考电压：0.8V（±1%）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：QFN-10（3mm×3mm）
静态电流：典型值30μA
关断电流：小于1μA
占空比范围：0% 至 100%
M21151G-13采用先进的恒定导通时间（COT）控制架构，无需外部补偿元件即可实现稳定运行，简化了设计流程并减少了外围元件数量。该控制方式能够提供极快的负载瞬态响应，即使在输出电流快速变化时也能维持较小的电压过冲和下冲，从而提升系统稳定性。芯片内部集成了上管和下管功率MOSFET，导通电阻低，显著提高了转换效率，尤其在中高负载条件下表现优异。其高达3A的持续输出电流能力使其适用于多种中等功率应用。
该器件支持宽输入电压范围（4.5V至18V），可兼容多种电源输入配置，例如12V系统总线或电池供电系统。输出电压可通过外部电阻分压器灵活调节，最低可调至0.8V，满足现代低电压数字核心的需求。芯片内置多重保护机制，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和输出短路保护，确保在异常工况下自动关闭或限流，防止器件损坏。此外，M21151G-13具备良好的轻载效率表现，通过跳频模式或二极管仿真模式降低待机功耗，适用于对能效要求较高的便携式设备。
封装方面，M21151G-13采用3mm×3mm QFN-10小型化封装，占用PCB面积小，适合高密度布局。该封装具有良好的热性能，便于散热设计。芯片还支持电源正常指示（PGOOD）信号输出，可用于系统监控电源状态，实现上电时序控制。整体设计兼顾高性能、高集成度与高可靠性，是工业控制、通信设备、消费类电子产品中理想的非隔离式DC-DC电源解决方案之一。
M21151G-13适用于多种中等功率DC-DC转换应用场景。在工业自动化领域，常用于PLC模块、传感器供电、电机驱动控制器中的板级电源管理。在通信基础设施中，可用于路由器、交换机和光模块的局部电源降压。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、安防摄像头等也广泛采用该芯片为处理器、FPGA或ASIC提供核心电压。此外，在医疗设备、测试仪器和便携式终端设备中，其高效率和小尺寸优势尤为突出。由于其具备良好的瞬态响应和稳定性，也适用于对电源噪声敏感的模拟前端供电。该芯片还可用于电池供电系统，如无人机、移动电源管理系统等，延长续航时间。
MP2115GJ-LF-Z
