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M1MA152WAT1G 发布时间 时间:2025/5/7 10:53:34 查看 阅读:13

M1MA152WAT1G 是一款基于 NAND 构架的闪存芯片,主要用于存储数据。该芯片采用了先进的制程工艺,具有高密度、低功耗和快速读写的特点,广泛应用于嵌入式系统、消费类电子以及工业设备等领域。
  该芯片属于 Macronix(旺宏电子)的产品线,支持标准接口协议,能够满足多种应用场景下的大容量存储需求。

参数

容量:1Gb
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TSOP
  接口类型:Serial NOR Flash
  擦写周期:100,000 次
  数据保持时间:20 年
  页大小:256 字节
  区块大小:16KB

特性

M1MA152WAT1G 的主要特性包括以下几点:
  1. 高可靠性:具备强大的错误校正功能,确保数据在长时间存储和多次擦写后依然准确无误。
  2. 快速性能:支持高达 104MHz 的时钟频率,提供更快的数据传输速度。
  3. 小型化设计:采用 TSOP 封装形式,节省了电路板空间,特别适合对体积有严格要求的应用场景。
  4. 低功耗运行:优化的电路设计使得其在待机和工作状态下都能保持较低的功耗水平。
  5. 宽温适应性:能够在极端温度条件下正常工作,适用于工业级或户外设备。
  6. 易于集成:与主流处理器和控制器兼容,简化了系统设计流程。

应用

M1MA152WAT1G 主要应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如网络路由器、交换机等需要固件存储的设备。
  2. 消费类电子产品:例如数码相机、便携式播放器等需要非易失性存储的场景。
  3. 工业控制:如 PLC 控制器、数据记录仪等需要稳定存储方案的场合。
  4. 汽车电子:用于导航系统、车载娱乐系统等对可靠性和耐久性要求较高的环境。
  5. 物联网设备:为智能终端提供高效的存储解决方案。

替代型号

MX25L12835FEM, W25Q128BVSSIQ, AT25DF128B-SSHN

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M1MA152WAT1G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 75V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)100mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)80V
  • 反向恢复时间(trr)10ns
  • 二极管类型标准
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置1 对共阳极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SC-59
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称M1MA152WAT1GOSCT