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M030TD2AE 发布时间 时间:2025/4/28 20:15:28 查看 阅读:2

M030TD2AE是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和性能。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,通常用于需要高效能功率转换的应用场景。其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适合大电流和高电压的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:30A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=18ns, toff=36ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

M030TD2AE具有低导通电阻,可有效减少功率损耗,提高系统效率。
  其快速开关能力使其非常适合高频应用,同时内置的反向二极管可以保护电路免受反电动势的影响。
  此外,该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在严苛的工业环境下长期运行。
  由于采用了TO-220封装,它可以通过直接安装在散热片上来进一步优化散热性能。

应用

M030TD2AE常用于各类功率转换和控制场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 电动汽车和混合动力汽车中的功率模块
  7. LED驱动器
  其高性能和可靠性使其成为许多功率应用的理想选择。

替代型号

M030TD2AF, M030TD2AG, IRFZ44N, FDP5580

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M030TD2AE参数

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  • 系列-
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  • 产品状态在售
  • 核心处理器-
  • 内核规格-
  • 速度-
  • 连接能力-
  • 外设-
  • I/O 数-
  • 程序存储容量-
  • 程序存储器类型-
  • EEPROM 容量-
  • RAM 大小-
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)-
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