LZC811C-BIN3是一款基于CMOS工艺的低功耗、高精度模拟开关芯片,适用于需要低导通电阻和快速切换速度的应用场景。该芯片支持宽电压范围,并具备良好的抗干扰性能,能够在各种复杂环境中稳定运行。
此芯片具有小型化封装特点,适合在空间受限的设计中使用。同时,其出色的电气特性使其成为消费电子、工业控制及通信设备中的理想选择。
供电电压:1.6V~5.5Ω(典型值)
泄漏电流:±1nA(最大值,25℃)
工作温度范围:-40℃~+85℃
封装形式:SOT-23-6
切换时间:5ns(典型值)
静态电流:1μA(最大值,典型条件下)
LZC811C-BIN3采用了先进的CMOS制造技术,确保了低功耗与高性能的完美结合。
该芯片拥有极低的导通电阻,能够显著减少信号传输过程中的功率损耗。
其快速切换时间和低泄漏电流特性,使其非常适合用于高速数据切换以及对功耗敏感的应用。
此外,LZC811C-BIN3支持宽输入电压范围,增强了设计灵活性,同时具备优异的ESD防护能力,提升了系统的可靠性。
小尺寸封装简化了PCB布局,降低了整体解决方案的成本。
LZC811C-BIN3广泛应用于多种领域,包括但不限于音频信号切换、传感器信号路由、数据通信接口保护等。
它常被用作手机、平板电脑等便携式电子设备中的信号路径管理器件。
在工业自动化系统中,该芯片可用于多路复用器设计,实现不同通道间的高效切换。
此外,LZC811C-BIN3还适用于汽车电子模块中的低功耗电路设计,例如信息娱乐系统或导航装置中的信号处理部分。
LZC811C-BIN5
LZC812C-BIN3
TS5A3159
SN74LVC1G66