LYT0005D-TL 是一款由 LRC(乐山无线电)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 SOT-23,属于小型贴片封装,便于在紧凑型 PCB 设计中使用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 VDS:20V
栅源电压 VGS:±12V
连续漏极电流 ID:5.6A
导通电阻 RDS(ON):28mΩ @ VGS = 4.5V
导通电阻 RDS(ON):23mΩ @ VGS = 2.5V
功耗 PD:2.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装:SOT-23
LYT0005D-TL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗并减少发热。该器件的栅极驱动电压范围较宽,可在 2.5V 至 4.5V 之间稳定工作,适用于低电压驱动电路,如电池供电设备、DC-DC 转换器和负载开关等。
此外,LYT0005D-TL 具有快速开关特性,可提高电路的响应速度和效率,从而优化整体系统性能。其 SOT-23 封装形式不仅体积小巧,而且具备良好的散热性能,适合高密度 PCB 布局。
该 MOSFET 的热稳定性优异,能够在高温环境下稳定运行,提升了产品的可靠性和使用寿命。同时,其静电放电(ESD)保护能力较强,有助于防止器件在制造、运输及使用过程中因静电而损坏。
LYT0005D-TL 主要应用于以下领域:
? 电源管理:如电池保护电路、负载开关、DC-DC 转换器等
? 电机驱动:用于小型电机的开关控制,如无人机、电动工具等
? 通信设备:用于信号切换和电源分配
? 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、移动电源等需要高效能功率开关的场合
? 工业控制系统:如传感器控制、继电器驱动等
Si2302DS-T1-GE3, AO3400A, BSS138K