类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：最小4.0V，典型值4.5V
　　最大钳位电压（VC）：10V（在IPP = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　寄生电容（Cj）：每通道典型值0.3pF，最大0.5pF
　　ESD耐受能力：接触放电±15kV，空气放电±20kV（符合IEC 61000-4-2 Level 4）
　　反向漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN-6（1.6mm x 1.6mm）
　　引脚数量：6
　　焊接方式：回流焊（推荐Profile符合J-STD-020）
　　极性：双向保护
　　功率容量：30W（单脉冲，8/20μs）

LYE63B-DA-4-3B-R33的核心优势在于其超低结电容设计，每通道典型值仅为0.3pF，这一特性使其非常适合用于高速数据传输接口的保护，例如USB 2.0、HDMI、MIPI、SDIO等，不会对信号完整性造成明显影响。在高频信号路径中，传统保护器件往往因较高电容引入信号衰减、反射或串扰，而该器件凭借其亚皮法级电容表现，显著降低了这些风险，确保了高速信号的保真度与传输速率。此外，其双向二极管结构支持交流信号线路的对称保护，能够应对正负方向的瞬态冲击，适用于差分对或双向I/O端口。
　　该器件具备出色的ESD防护性能，符合国际标准IEC 61000-4-2 Level 4要求，可承受高达±20kV空气放电和±15kV接触放电的极端静电事件，远超日常使用环境中可能出现的静电水平。其响应时间小于1纳秒，能在ESD事件发生的瞬间迅速导通，将瞬态能量泄放到地，避免敏感IC受损。同时，器件内部采用优化的PN结布局和钝化层技术，提升了长期可靠性和热稳定性，即使在频繁ESD冲击下也能保持性能一致。
　　LYE63B-DA-4-3B-R33采用DFN-6小型化封装，尺寸仅为1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，节省宝贵的PCB空间，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的应用场景。该封装还具有良好的热传导性能，有助于热量从芯片传递至PCB，提升功率耗散能力。此外，器件符合无卤素（Halogen-Free）和RoHS指令要求，满足现代电子产品绿色环保的设计趋势。其机械强度高，抗振动和冲击能力强，适合严苛工业或车载环境中的部署。整体而言，该TVS阵列为高速、高密度、高可靠性电子系统提供了高效、紧凑且经济的前端保护解决方案。

LYE63B-DA-4-3B-R33广泛应用于各类需要高水平静电放电保护的消费类、通信类及工业类电子产品中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-A/C接口、耳机插孔、SIM卡槽和TF（microSD）卡接口等外露连接器的信号线保护。由于这些接口经常暴露在用户操作环境中，极易受到人体静电的影响，因此必须配备高效的ESD保护器件以防止主控芯片或电源管理单元损坏。该器件也常用于笔记本电脑、显示器和机顶盒上的HDMI、DisplayPort等音视频接口，保障高清信号在复杂电磁环境下的稳定传输。
　　在通信设备领域，LYE63B-DA-4-3B-R33可用于以太网PHY侧的信号线保护，尤其是在百兆或千兆以太网的差分对线上提供低电容、高响应的瞬态抑制能力。它同样适用于无线模块如Wi-Fi、Bluetooth、Zigbee等射频前端控制信号的保护，防止天线附近感应到的瞬变电压侵入数字电路。此外，在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入输出模块、传感器接口、CAN总线通信线路等，提高系统的抗干扰能力和现场适应性。
　　在汽车电子方面，尽管该器件并非AEC-Q101认证产品，但仍可用于部分非关键性的车载信息娱乐系统接口保护，如后排USB充电口、车内多媒体扩展接口等。其宽温工作范围（-40°C至+125°C）使其能在较恶劣的温度条件下正常运行。另外，在医疗便携设备、智能手表、AR/VR头显等人机交互频繁的产品中，该TVS阵列也是实现可靠触控、数据同步和充电功能不可或缺的安全组件。总体来看，凡是涉及高速信号传输且存在ESD风险的场合，LYE63B-DA-4-3B-R33都是一种理想的选择。

SP3012-04UTG