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LY62L1024LL-70LL 发布时间 时间:2025/8/21 9:01:38 查看 阅读:4

LY62L1024LL-70LL 是一款由 Sharp Microelectronics(夏普微电子)生产的低功耗静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为1兆位(128K x 8)。该器件设计用于需要高速访问和低功耗的应用,适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和消费类电子产品。该SRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有较高的可靠性与稳定性,适用于宽温度范围的工业环境。

参数

类型:SRAM
  容量:1 Mbit (128K x 8)
  电源电压:2.7V 至 5.5V
  访问时间:70ns
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  接口类型:并行
  功耗:典型值 10 mA(待机模式下 10 μA)
  封装尺寸:8mm x 14mm(近似)

特性

LY62L1024LL-70LL 的主要特性包括其宽电压范围(2.7V 至 5.5V),这使其能够兼容多种电源系统,并在不同的应用场景中灵活使用。其高速访问时间(70ns)保证了数据读写操作的快速响应,适用于对性能要求较高的系统。该器件的低功耗特性在待机模式下尤为显著,使其适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。
  该SRAM芯片采用CMOS工艺,具有高噪声抑制能力与较低的静态电流。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于严苛的工业环境。封装形式为TSOP,具有良好的机械稳定性和焊接可靠性,便于自动化装配和大批量生产。
  此外,LY62L1024LL-70LL 的并行接口设计使其能够与多种微处理器和控制器直接连接,简化了系统设计并提高了兼容性。

应用

LY62L1024LL-70LL 可广泛应用于各种嵌入式系统中,如工业控制、自动化设备、通信模块、消费类电子产品(如便携式手持设备、智能家电)以及数据存储设备。其高速访问和低功耗的特性也使其成为无线通信模块、传感器网络和实时控制系统中的理想选择。该芯片还可用于需要临时数据存储或高速缓存功能的系统中,例如图像处理模块、音频缓存、数据缓冲器等。

替代型号

ISSI IS62L1024AL-70TLI、Cypress CY62157EV30LL-70BGI、Microchip 23LC1024-I/PT

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