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LY61L51216AML-10I 发布时间 时间:2025/8/21 4:48:19 查看 阅读:8

LY61L51216AML-10I是一款由LeadYon Technology公司生产的低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM),专为高性能和可靠性设计。该SRAM芯片具有512K x 16位的存储容量,适用于需要高速数据访问和稳定存储的应用场景。其封装形式通常为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在各种环境条件下稳定运行。

参数

类型:静态随机存取存储器(SRAM)
  容量:512K x 16位(8MB)
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据总线宽度:16位
  封装尺寸:标准TSOP尺寸
  最大功耗:典型值为100mA(待机模式下低至10mA)

特性

LY61L51216AML-10I是一款高性能SRAM芯片,具备快速访问时间和低功耗特性,适用于需要高速数据存储和稳定性的工业应用。该芯片支持异步操作,能够与多种微处理器和控制器兼容,提供灵活的接口选项。其宽电压范围支持从2.3V到3.6V的电源供电,适应不同的系统设计需求。此外,该SRAM在待机模式下的功耗极低,有助于延长电池供电设备的使用时间。TSOP封装设计不仅节省空间,还提高了散热性能,适合高密度PCB布局。工业级温度范围确保其在恶劣环境中依然保持稳定性能,适用于工业控制、通信设备、消费电子产品和嵌入式系统等应用。

应用

LY61L51216AML-10I SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和稳定性的各类电子设备中,包括工业控制系统、网络通信设备、嵌入式系统、便携式电子产品、数据采集装置以及高性能微控制器系统。由于其低功耗和宽温度范围特性,也非常适合用于需要长时间运行和在恶劣环境下工作的设备中。

替代型号

ISSI IS61LV51216AL-10B, Alliance AS6C62516A-10TIN, Cypress CY62158EV30LL-10ZS

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