时间：2025/8/20 23:42:07
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LY61L1024JL-12是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM），属于高性能的低功耗CMOS SRAM芯片系列。该型号容量为1Mbit（128K x 8），采用标准的异步接口，适用于需要快速数据存取和高可靠性的各种嵌入式系统和工业应用。
容量：1Mbit (128K x 8)
访问时间：12ns
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：异步
功耗：典型值为100mA（待机模式下电流低至10mA）
引脚数：54
LY61L1024JL-12采用高性能CMOS技术制造，具有高速访问时间和低功耗的特点。该芯片支持异步操作，适用于多种存储器接口方案。其工业级温度范围确保在恶劣环境下的稳定运行。此外，该SRAM芯片具备高可靠性和稳定性，广泛用于需要高速缓存和数据临时存储的应用场景，如网络设备、工业控制、通信模块和嵌入式系统。
该器件还具有良好的数据保持能力，在待机模式下功耗极低，有助于延长电池供电设备的使用寿命。TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，同时提高高频下的电气性能。ISSI的SRAM产品系列以高质量和良好的技术支持著称，LY61L1024JL-12是其在中高密度SRAM市场中的重要型号之一。
LY61L1024JL-12广泛应用于需要高速数据存取的场景，包括工业控制系统、网络路由器与交换机、通信设备、测试仪器、医疗设备、嵌入式处理器系统、视频处理设备和汽车电子模块等。其工业级温度范围和高可靠性也使其适用于户外和恶劣环境下的设备。
ISSI的其他替代型号包括LY61L1024JL-10（访问时间10ns）、LY61V1024JBL-12（低电压3.3V异步SRAM）、以及Cypress、Microchip和ON Semi等厂商的类似规格SRAM芯片，如CY62157EVLL-12ZE和MCM6208A-12.0T.
