时间：2025/9/10 17:49:13
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LXV50VB821M18X20LL 是一款由 Vishay Siliconix 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频率的电子电路中。这款MOSFET设计用于高效的电源管理和功率转换，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：50A
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=10V
功率耗散：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
安装类型：表面贴装
通道数：1
LXV50VB821M18X20LL MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。该器件的高耐压特性使其适用于各种高电压应用。此外，LXV50VB821M18X20LL还具备良好的热管理和高温稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能。其封装设计优化了散热性能，同时减少了寄生电感和电阻，从而提高了高频操作时的性能。
该MOSFET还具有快速开关能力，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。它的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V的栅极电压，便于与多种驱动电路兼容。LXV50VB821M18X20LL的封装设计使其能够承受较高的电流密度，同时保持较低的热阻。
LXV50VB821M18X20LL MOSFET主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、功率放大器以及工业自动化设备中的高功率开关控制。由于其优异的性能和可靠性，该器件也广泛用于汽车电子系统、可再生能源系统和通信设备中的功率管理电路。
在电动汽车和混合动力汽车中，LXV50VB821M18X20LL可用于电池管理系统和电动机控制电路。在工业领域，该MOSFET常用于高性能电源供应器和自动化控制系统的功率开关。
SiZ882DT, SQJ482EP, FDS8810, IPB082N08N3GKSA1
