类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：60A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.12Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
　　最大功耗（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK 1212-8

LXV50VB561M12X30LL 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得在保持高电流处理能力的同时，仍能实现较小的芯片尺寸，从而减少寄生电容并提升开关速度。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力，使其在高压和高电流应用中表现出色。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，适用于常见的 10V 驱动电路，同时也支持逻辑电平驱动（如 4.5V 或更高），使其能够与多种控制器或驱动 IC 兼容。PowerPAK 封装设计不仅提供了优异的热管理性能，还具备出色的机械稳定性和可靠性，适用于高温环境下的长期运行。LXV50VB561M12X30LL 还具有较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现良好，例如在 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理等领域中非常适用。

LXV50VB561M12X30LL 主要用于需要高压和高电流处理能力的功率电子设备中。其典型应用包括但不限于工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS（不间断电源）以及各种高功率开关电路。由于其低导通电阻和良好的热性能，该 MOSFET 特别适合用于要求高效率和高可靠性的设计中。在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载逆变器等应用。此外，LXV50VB561M12X30LL 还可用于太阳能逆变器、LED 照明驱动器和工业自动化设备中的功率控制模块。

SiHP055N50LD, IXFN60N50P, FCP50N60F, FDPF50N50