类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：PowerPAK SO-8双封装（5x6mm）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.6mΩ（在Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：33nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2040pF（典型值）

LXV16VB56RM5X11LL 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件采用了先进的Trench结构技术，使电流密度更高，并优化了开关性能，降低了开关损耗。
　　此外，LXV16VB56RM5X11LL 的封装设计为PowerPAK SO-8双封装，具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持稳定的工作温度。这种封装形式也便于PCB布局和自动化组装，适用于表面贴装工艺。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽（±20V），可兼容多种驱动电路设计。同时，其高雪崩能量耐受能力增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性。适用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的电源系统。
　　该器件广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、服务器电源和电信设备电源等应用中。

LXV16VB56RM5X11LL 适用于多种高功率密度和高效率的电源转换系统。常见应用包括：
　　? DC-DC降压/升压转换器
　　? 服务器电源和电信设备电源
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电机驱动和负载开关
　　? 电源管理模块
　　? 高速开关应用
　　? 多相电源转换系统
　　由于其低导通电阻和优异的热性能，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源设计中。

SiS160DN, NexFET CSD16570Q5B, AO4496, FDS6680, IPB013N06N3 G