时间：2025/8/13 22:20:04
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LX8050QLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电器等多种电源管理系统。LX8050QLT1G采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，有助于提高系统效率并降低功耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃时）
功耗（Pd）：170W
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
封装形式：PowerPAK SO-8
LX8050QLT1G具备多项优良特性，使其在电源管理应用中表现出色。
首先，该MOSFET具有非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值为5.5毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。这种低电阻特性在高电流应用中尤为重要，可以有效减少发热并提升系统稳定性。
其次，LX8050QLT1G采用了先进的沟槽式技术，使其在高频开关应用中具有优异的性能表现。高频开关可以减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的电源设计。此外，该器件具有良好的热稳定性，封装设计优化了热传导路径，使器件在高负载条件下也能保持较低的工作温度，延长使用寿命。
再者，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动电压，适用于多种驱动电路设计。这种灵活性使得该器件可以兼容不同的控制器和驱动IC，提高了其在不同应用中的适应性。
最后，LX8050QLT1G采用PowerPAK SO-8封装，具有优异的电气和机械性能，同时支持表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产流程，降低了制造成本并提高了产品一致性。
LX8050QLT1G广泛应用于各类电源管理系统和高效率功率转换电路中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备以及电动车充电模块等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为出色。例如，在服务器和通信设备的电源模块中，LX8050QLT1G能够有效降低损耗并提高系统效率；在电动车充电系统中，它可作为主开关器件，用于实现高效的能量传输与管理；在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。此外，LX8050QLT1G还可用于电机驱动、逆变器以及各类高功率密度的电源设计中。
Si7461DP, IPD90N03S4-07, FDS8954, NVTFS5C471NL
