时间：2025/9/20 18:51:19
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LV5808MXZ-TLM-H是一款由ONSEMI（安森美）生产的高精度、低功耗霍尔效应传感器，专为无接触位置检测和速度测量应用设计。该器件采用先进的CMOS技术制造，具有极高的灵敏度和稳定性，能够在恶劣的工业和汽车环境中可靠运行。LV5808MXZ-TLM-H集成了霍尔传感元件、信号调理电路、斩波稳定技术（Chopper Stabilization）以及开漏输出级，能够有效抑制热漂移和机械应力带来的影响，确保在宽温度范围内的长期稳定性。该传感器支持单极或双极磁触发方式，适用于检测旋转或线性运动的位置变化，广泛用于电机控制、转速检测、接近开关、编码器等系统中。其微型SIP（Single Inline Package）封装形式使其非常适合空间受限的应用场景，并具备良好的抗振动和抗冲击能力。器件工作电压范围宽，典型值为3.0V至24V，适合多种电源环境下的部署。此外，该型号符合AEC-Q100汽车级可靠性标准，可用于严苛的车载应用，如变速箱位置检测、油门踏板位置感应、电动助力转向（EPS）系统等。由于其高集成度和免维护特性，LV5808MXZ-TLM-H在提升系统可靠性的同时降低了整体设计复杂度与成本。
型号：LV5808MXZ-TLM-H
制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
传感器类型：霍尔效应传感器
输出类型：开漏输出
供电电压：3.0V 至 24V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：SIP-3（单列直插式）
磁触发方式：单极/双极可选
灵敏度：典型值 ±5mT
响应时间：典型值 4μs
输出电流：最大 25mA
EMC 性能：符合 ISO 7637-2 和 ISO 11452-2 标准
符合标准：AEC-Q100 Grade 0 认证
LV5808MXZ-TLM-H具备卓越的温度稳定性和抗机械应力性能，得益于其内置的斩波稳定技术（Dynamic Offset Cancellation），该技术通过周期性反转霍尔板极性并平均输出来消除偏移电压，显著提升了传感器在高温或长期运行下的精度一致性。这种设计有效抑制了由封装应力、热梯度和工艺偏差引起的零点漂移，使器件在-40°C至+150°C的极端温度范围内仍能保持稳定的开关动作点。该传感器采用高灵敏度霍尔元件，能够检测微弱磁场变化，适用于低磁强或远距离感应的应用场景。其快速响应时间（典型值4μs）确保了在高速旋转检测中的精确计数能力，避免脉冲遗漏，特别适合用于电机换向控制和高分辨率编码器系统。
该器件的开漏输出结构允许灵活配置上拉电阻至任意逻辑电平，兼容3.3V、5V甚至更高电压的微控制器输入，增强了系统的接口适应性。同时，宽电压供电范围（3.0V–24V）使其不仅适用于低压消费类设备，也能在工业PLC、商用车辆等高压系统中稳定工作。器件具备出色的电磁兼容性（EMC），通过了ISO 7637-2传导瞬态抗扰度测试和ISO 11452-2辐射抗扰度测试，可在强电磁干扰环境下可靠运行，适用于发动机舱内或电机驱动器附近等复杂电磁场区域。
LV5808MXZ-TLM-H还集成了反向电压保护、过压保护和短路保护等多种故障防护机制，提高了系统鲁棒性，延长了使用寿命。其SIP-3小型化封装便于自动插件和回流焊工艺，节省PCB空间，适合大批量自动化生产。作为AEC-Q100 Grade 0认证产品，它满足汽车电子对寿命、可靠性和环境耐受性的最高要求，可用于变速箱档位检测、刹车踏板位置识别、涡轮增压器叶片位置监控等关键安全系统。此外，该传感器无需外部滤波元件即可实现稳定输出，简化了外围电路设计，降低了整体BOM成本。
LV5808MXZ-TLM-H广泛应用于汽车电子领域，包括但不限于变速箱档位检测、油门踏板位置感应、刹车踏板位置监测、电动助力转向（EPS）系统中的扭矩传感器反馈、涡轮增压器叶片位置检测以及发动机正时系统中的曲轴/凸轮轴位置识别。在工业自动化方面，该器件常用于电机换向控制、旋转编码器、速度监测装置、接近开关和液位检测系统。由于其高可靠性与宽温域特性，也适用于轨道交通、重型机械、农业装备等恶劣环境下的非接触式位置传感任务。此外，在白色家电中可用于洗衣机滚筒转速检测、空调风门位置控制等场景。得益于其紧凑封装和免调校特性，该传感器同样适合于空间受限且需要长期稳定运行的消费类设备中进行运动状态感知。
NCS2191RGT1G
ACS712ELCTR-30A-T
Melexis US5881LUA-A
