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LV5230BG-MPB-H 发布时间 时间:2025/9/20 7:39:43 查看 阅读:5

LV5230BG-MPB-H是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高效率、低功耗的同步降压型DC-DC转换器芯片,广泛应用于便携式电子设备和需要高效电源管理的系统中。该器件集成了一个内部功率MOSFET,能够在宽输入电压范围内稳定工作,提供精确的输出电压调节。其采用电流模式控制架构,确保了快速的瞬态响应和良好的环路稳定性。LV5230BG-MPB-H具有多种保护功能,包括过流保护、过温保护和软启动机制,增强了系统的可靠性。此外,该芯片封装紧凑,适用于空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑、物联网设备以及工业控制系统等。其高集成度设计减少了外部元器件的数量,简化了电路布局并降低了整体BOM成本。该器件符合RoHS环保标准,并通过了相关的工业级认证,适合在严苛环境下长期运行。

参数

型号:LV5230BG-MPB-H
  制造商:ON Semiconductor (ONSEMI)
  封装类型:DFN-8
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 5.5V(可调)
  最大输出电流:3A
  开关频率:600kHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  静态电流:约45μA
  关断电流:小于1μA
  反馈参考电压:0.8V ±1.5%
  占空比范围:0% 至 100%
  调节方式:电流模式控制
  保护功能:过流保护、过温保护、输出短路保护、UVLO
  安装类型:表面贴装
  引脚数:8

特性

LV5230BG-MPB-H采用先进的BCD工艺制造,具备优异的热性能和电气性能,能够实现高达95%以上的转换效率,显著降低系统功耗和发热。其内部集成的高端和低端MOSFET降低了导通损耗,并省去了外部自举电容的设计需求,进一步简化了外围电路。该芯片支持强制PWM模式和自动PWM/PSM(脉冲跳跃)模式切换,在轻载条件下可自动进入低功耗模式以延长电池寿命,同时在重载时保持高效的PWM操作。
  该器件具备出色的负载和线路瞬态响应能力,得益于其峰值电流模式控制架构,能够实时监测电感电流并进行快速调节,有效抑制输出电压波动。内置的软启动功能可在启动过程中限制浪涌电流,防止输入电压跌落,保护上游电源系统。此外,芯片还集成了精确的电压反馈比较器和误差放大器,确保输出电压精度控制在±1.5%以内,满足高精度供电需求。
  LV5230BG-MPB-H具有完善的保护机制,包括逐周期限流、打嗝模式过流保护、热关断和欠压锁定(UVLO),在异常情况下能自动切断输出,避免损坏芯片或负载。其DFN-8封装具有优良的散热性能,可通过底部裸露焊盘将热量传导至PCB,提升功率密度和长期可靠性。整个设计符合AEC-Q100标准,适用于汽车电子和工业应用。此外,该芯片EMI性能优化良好,通过合理的开关边沿控制和频率抖动技术(如有)减少电磁干扰,便于通过EMC认证。

应用

LV5230BG-MPB-H适用于多种需要高效、稳定直流电源的场合。典型应用包括便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源,其中对体积和能效要求极高。在工业自动化领域,可用于PLC模块、传感器供电、电机驱动控制板等分布式电源系统。此外,该芯片也广泛用于网络通信设备,如路由器、交换机和光模块中的中间总线转换。在汽车电子中,可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元的次级电源供应。由于其宽输入电压范围和高可靠性,该器件同样适用于基于12V或24V直流母线的工业和电信电源架构。LED照明驱动、智能仪表和IoT节点设备也是其常见应用场景。其高集成度和小尺寸封装使其成为替代传统LDO或分立式 buck 电路的理想选择,尤其在追求高功率密度和长续航时间的设计中表现出色。

替代型号

NCP6334BDTAR, MP2315DJ-LF-Z

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