品牌：ON Semiconductor
　　类型：同步整流降压DC-DC转换器
　　输入电压范围：2.5V ~ 5.5V
　　输出电压范围：0.8V ~ 3.6V（可调）
　　最大输出电流：1.2A
　　静态电流：45μA（典型值）
　　工作效率：高达95%（取决于负载和输入/输出条件）
　　工作频率：1.6MHz（典型值）
　　控制方式：PFM/PWM自动切换
　　封装形式：TSOT-23-6 或 DFN-8
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　保护功能：过流保护、过温保护、短路保护
　　特殊功能：软启动、低噪声、高PSRR

LV1115M-TLM-E的核心优势在于其卓越的能效表现和极低的静态电流设计，这使得它特别适用于依赖电池长期工作的便携式电子设备。该芯片采用同步整流技术，内部集成了高边P沟道MOSFET和低边N沟道MOSFET，有效降低了导通损耗，提升了转换效率，尤其是在中高负载条件下表现出色。相比传统异步整流方案，无需外接肖特基二极管，不仅节省了PCB面积，还避免了二极管反向恢复带来的能量损耗和电磁干扰问题。
　　该器件支持1.6MHz的高开关频率，允许使用小型电感和陶瓷电容，从而实现紧凑的电源设计方案。高频操作还有助于提高环路响应速度，并减小输出电压纹波。更重要的是，LV1115M-TLM-E具备智能模式切换功能，可在重载时进入PWM模式以保持恒定频率和稳定输出，而在轻载或空载时自动切换至PFM模式，大幅降低开关活动和偏置电流，将静态电流控制在45μA左右，极大提升了轻载效率。
　　芯片内置软启动电路，可防止启动过程中产生过大的浪涌电流，保护输入电源和后级电路。其高PSRR（电源抑制比）特性使其在输入电压波动较大的情况下仍能维持稳定的输出电压，适用于噪声敏感型应用，如射频模块、传感器供电等。此外，过温保护和逐周期过流保护机制确保了在异常工作条件下的安全运行，当芯片结温超过阈值时会自动关闭输出，待温度下降后恢复正常工作。
　　LV1115M-TLM-E采用小型封装，热性能良好，适合高密度贴装。其引脚布局经过优化，便于布线和散热设计。整体设计简化了电源系统的开发流程，减少了外围元器件数量，降低了BOM成本和设计复杂度，是现代低功耗嵌入式系统中理想的电源解决方案之一。

LV1115M-TLM-E广泛应用于各类对尺寸、功耗和效率有严苛要求的便携式和低功耗电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨供电，例如为摄像头模组、音频编解码器或传感器模块提供稳定的低压电源。在可穿戴设备如智能手表、健身追踪器和TWS耳机中，该芯片能够有效延长电池使用时间，同时满足微型化的设计需求。
　　在物联网（IoT）领域，LV1115M-TLM-E常用于无线通信模块（如Wi-Fi、Bluetooth Low Energy、Zigbee、LoRa等）的电源管理，为MCU、RF收发器和传感器节点提供高效、低噪声的直流电压。由于其具有良好的瞬态响应能力和高PSRR，即使在射频信号突发传输导致负载剧烈变化的情况下，也能维持输出电压稳定，保障通信质量。
　　此外，该器件也适用于工业传感器、便携式医疗设备（如血糖仪、体温计）、智能家居控制器以及消费类电子产品中的电池管理系统。在这些应用中，可靠性和长期稳定性至关重要，而LV1115M-TLM-E的多重保护机制和宽温工作能力正好满足这些需求。对于需要多路电源轨的系统，它可以作为次级稳压器，配合LDO或其他电源芯片共同构建完整的电源架构。总之，凡是需要从单节锂电池或3.3V/5V系统生成稳定低压输出的场合，LV1115M-TLM-E都是一个极具竞争力的选择。

NCP1515M

TSOT-23-6