您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LUWF8DN

LUWF8DN 发布时间 时间:2025/12/28 6:36:53 查看 阅读:20

LUWF8DN 是一款由 Littelfuse 公司生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),专为保护敏感电子电路免受瞬态过电压事件(如静电放电 ESD、电感负载切换、雷击感应等)的影响而设计。该器件采用紧凑的 SOD-123FL 封装,具有低电容特性,适用于高速数据线路和通信接口的保护。LUWF8DN 属于单向 TVS 二极管,意味着其工作特性类似于一个仅在一个方向上导通的齐纳二极管,在正常工作电压下呈现高阻抗状态,而在遭遇过压事件时迅速响应并钳位电压至安全水平,从而保护后级电路。该器件广泛应用于便携式电子产品、消费类设备、工业控制系统以及通信设备中,尤其适合对空间要求严格且需要高可靠性保护的应用场景。Littelfuse 作为全球领先的电路保护元件制造商,确保了 LUWF8DN 在性能、可靠性和一致性方面达到高标准。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装/包装:SOD-123FL
  击穿电压 (Vbr):9.0V 至 10.0V
  反向待机电压 (Vrwm):8.0V
  钳位电压 (Vc):13.3V(在 Ipp = 1A 条件下)
  峰值脉冲电流 (Ipp):14.3A(最大值)
  峰值脉冲功率 (Ppk):150W(8/20μs 波形)
  漏电流 (Ir):小于 1μA(在 Vr = 8.0V 时)
  电容值 (Cj):15pF(典型值,@ 1MHz, 0V 偏置)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C(Tj)
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LUWF8DN 的核心特性之一是其快速响应能力,能够在纳秒级别内检测到瞬态过电压并迅速进入导通状态,将过电压能量引导至地线,从而有效防止其传递到下游敏感元件。这种快速响应对于防护静电放电(ESD)尤为重要,因为 ESD 脉冲上升时间极短,通常在几纳秒内即可达到数千伏的峰值电压。该器件符合 IEC 61000-4-2 国际标准中对 ESD 抗扰度的要求,能够承受高达 ±30kV 的空气和接触放电,使其非常适合用于 USB 端口、HDMI 接口、音频插孔和其他暴露在外的连接器的保护。
  另一个显著特点是其低结电容(15pF 典型值),这对于高速信号线路至关重要。高电容会引入信号衰减、失真或延迟,影响数据完整性,尤其是在高频通信应用中。LUWF8DN 的低电容设计使其能够在不影响信号质量的前提下提供有效的过压保护,因此被广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他高速数字设备中的数据线保护。
  此外,LUWF8DN 采用 SOD-123FL 表面贴装封装,体积小巧,有助于节省 PCB 空间,同时支持自动化贴片生产,提高制造效率。其额定功率为 150W(8/20μs 浪涌波形),可在短时间内吸收大量能量,具备良好的热稳定性和长期可靠性。器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C,适应各种严苛环境下的应用需求。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于集成的电路保护解决方案。

应用

LUWF8DN 主要应用于需要对瞬态过电压进行防护的各类电子设备中,特别是在便携式消费电子产品中表现突出。它常用于保护 USB 2.0 和 USB 3.0 数据线(D+ 和 D- 信号线)、HDMI 接口、DisplayPort、耳机插孔、麦克风输入、触摸屏控制器以及其他高速模拟或数字信号线路。在移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,由于这些产品频繁与人体接触,极易受到静电放电的影响,因此 LUWF8DN 提供了关键的 ESD 保护屏障。
  在工业控制领域,该器件可用于保护 PLC 输入输出端口、传感器接口和通信总线(如 RS-232、RS-485)免受开关瞬变和雷击感应电压的损害。在汽车电子系统中,虽然其主要用于非动力总成类的车载信息娱乐系统(IVI)或辅助接口的次级保护,但同样能提升系统的电磁兼容性(EMC)性能。
  此外,LUWF8DN 还适用于网络设备(如路由器、交换机)、打印机、数码相机和智能家居设备中的信号线路保护。由于其小尺寸和高性能的平衡,特别适合高密度布局的现代电子产品设计。无论是在研发阶段还是批量生产中,LUWF8DN 都是一个成熟且值得信赖的 TVS 选择,帮助工程师满足日益严格的 EMC 法规和产品可靠性要求。

替代型号

SMBJ8.0A
  SMF05C
  P6KE8.0A
  TPD1E10B06

LUWF8DN推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价