类型：NPN 双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LUMB105 的主要特性之一是其内部集成多个晶体管单元，能够实现高增益放大功能，适用于多级放大电路设计。该器件采用先进的制造工艺，具有良好的匹配性和温度稳定性，确保在不同工作条件下的一致性能。
　　此外，LUMB105 的封装设计紧凑，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热管理能力，能够在较高的环境温度下稳定运行。其低饱和压降（VCE(sat)）特性使其在开关应用中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　LUMB105 还具有较强的抗干扰能力和高输入阻抗，适用于模拟信号处理和高频应用。该器件的高截止频率（fT）支持其在宽带放大器和射频电路中的使用，具备良好的动态响应能力。
　　在可靠性方面，LUMB105 通过了严格的工业标准测试，能够在恶劣环境下长时间稳定工作，适用于汽车电子、工业控制、通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。

LUMB105 主要应用于高增益放大器、信号调理电路、模拟开关、多级放大电路、音频放大器、传感器接口电路以及高频振荡器等电子系统中。其紧凑的封装和高性能特性使其广泛用于便携式电子设备、通信模块、工业自动化设备和汽车电子系统中。
　　在音频放大器设计中，LUMB105 可用于前级放大或驱动级放大，提供良好的音质表现；在传感器接口电路中，可用于信号放大和滤波处理；在高频电路中，可作为射频放大器或混频器使用。
　　此外，LUMB105 也常用于需要高匹配度的模拟电路中，如精密测量设备和数据采集系统，确保信号的高保真度和稳定性。

LUMB105M, LUMB105ALT1, LUMB105SC