LUDZS6.8BT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件的标称齐纳电压为 6.8V,在一定的工作电流范围内能够保持稳定的电压输出。该封装为 SOD-123 塑料表面贴装封装,适用于各种电子设备和电路中的稳压需求。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:6.8V
功率耗散:200mW
封装类型:SOD-123
最大齐纳电流:100mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
LUDZS6.8BT1G 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和温度稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持恒定的击穿电压。其 SOD-123 小型封装设计适合高密度 PCB 布局,同时具备优异的热性能和可靠性。该器件的低动态电阻确保在负载变化时仍能提供稳定的电压输出,适用于各种模拟和数字电路的稳压、参考电压源、过压保护电路等应用场景。
此外,LUDZS6.8BT1G 采用无铅封装,符合 RoHS 环保标准,适用于现代电子产品对环保材料的要求。其制造工艺保证了良好的批次一致性,便于在生产过程中进行质量控制和电路设计的可重复性。
LUDZS6.8BT1G 主要用于需要稳定 6.8V 电压参考的电子设备中,如电源稳压电路、电池充电器、电压检测电路、ADC/DAC 参考源、信号调理电路以及各种便携式电子设备和工业控制系统。由于其稳定性和小型化设计,也常用于消费类电子产品、汽车电子模块和传感器电路中。
MM3Z6V8B, BZV55-B6V8, MMSZ5239B