LUDZS36BT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型。这种晶体管主要用于放大和开关应用,在各种电子设备中广泛应用。LUDZS36BT1G 具有良好的性能和可靠性,适用于需要较高电流和电压处理能力的电路设计。该器件采用 SOT-23 封装,适合表面贴装技术(SMT),使其在现代电子制造中非常实用。
晶体管类型:NPN
封装类型:SOT-23
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Pd):300 mW
直流电流增益(hFE):110-800(取决于电流)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
LUDZS36BT1G 晶体管具有多种优良特性,适用于多种电子电路应用。首先,其 NPN 类型使得它在放大和开关电路中表现优异。最大集电极电流为 100 mA,能够支持较高的电流负载,适用于需要较高电流驱动的电路设计。此外,该晶体管的集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30 V,能够承受较高的电压应力,提供更宽的电压操作范围。
该晶体管的最大功耗为 300 mW,能够在适当的散热条件下提供较高的功率处理能力。直流电流增益(hFE)范围为 110-800,具体值取决于工作电流,这意味着在不同电流条件下,LUDZS36BT1G 能够提供稳定的增益性能,适用于需要精确信号放大的电路。
LUDZS36BT1G 采用 SOT-23 封装,体积小巧,适合表面贴装技术,简化了 PCB 设计和生产过程。这种封装形式也提高了器件的可靠性和稳定性,适合在各种环境条件下工作。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在极端温度环境下正常运行,适用于工业、汽车和消费类电子产品。
这款晶体管还具有良好的热稳定性和抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。LUDZS36BT1G 的设计使其在低频和高频应用中都能表现出色,是多种电子设计的理想选择。
LUDZS36BT1G 晶体管广泛应用于多个领域,包括放大电路、开关电路、电源管理、信号处理和嵌入式系统。在音频放大器中,它可以作为前置放大器或驱动放大器,提高信号强度。在数字电路中,它可以用作开关元件,控制外围设备的电源供应。此外,LUDZS36BT1G 还适用于传感器接口电路,将微弱的传感器信号放大以便进一步处理。在汽车电子系统中,它可用于控制灯光、风扇和其他电子部件。在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和家用电器,LUDZS36BT1G 也常用于各种电源管理和信号调节电路。
2N3904, BC547, PN2222