LUDZS18BPT1G 时间：2025/8/13 10:35:29 阅读：28

LUDZS18BPT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型。该晶体管设计用于高频率和高增益应用，具有良好的线性性能和快速开关能力。它采用 SOT-23 封装，适合用于便携式设备、射频（RF）放大器、低噪声放大器（LNA）以及各种模拟和混合信号电路中。LUDZS18BPT1G 具备较高的截止频率（fT），适合在高频条件下工作，是一款性能稳定、可靠性高的晶体管。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：15V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：2V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　最小增益（hFE）：50（在 IC=2mA, VCE=5V）

特性

LUDZS18BPT1G 晶体管具备多个关键特性，使其适用于高频和高增益电路。首先，它具有较高的截止频率（fT=250MHz），能够在高频应用中保持良好的增益性能，适合用于射频放大器和低噪声放大器等电路。其次，其 NPN 结构提供了较高的电流放大能力，最小 hFE 为 50，在 2mA 集电极电流下仍能保持稳定增益。
　　此外，LUDZS18BPT1G 采用 SOT-23 小型封装，具有较小的体积和良好的热稳定性，适合用于高密度 PCB 设计。其最大集电极电流为 100mA，最大集电极-发射极电压为 15V，能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。
　　该晶体管的功耗较低，最大为 300mW，有助于提高电路的能效并减少散热需求。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种工业和消费级应用场景。LUDZS18BPT1G 还具有较高的可靠性，适用于需要长期稳定运行的电子系统。

应用

LUDZS18BPT1G 晶体管广泛应用于高频模拟电路和开关电路中。常见应用包括射频放大器、低噪声放大器（LNA）、音频放大器、电压调节器、逻辑电平转换器以及各种模拟信号处理电路。由于其高频特性，它特别适合用于无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi 收发器以及小型天线放大器等射频前端电路。
　　此外，LUDZS18BPT1G 也可用于传感器信号放大、运算放大器输入级、开关控制电路以及电池供电设备中的节能电路。其小型 SOT-23 封装使其成为便携式电子产品和嵌入式系统的理想选择。