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LUDZS16MBT1G 发布时间 时间:2025/8/13 2:58:26 查看 阅读:21

LUDZS16MBT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于低电压开关应用的NPN晶体管。该器件设计用于高频率开关操作,适合在数字电路、功率放大器以及低电压电源管理系统中使用。LUDZS16MBT1G采用先进的制造工艺,提供良好的热稳定性和高频性能,同时具备较高的可靠性,适合在汽车电子、消费类电子和工业控制领域中使用。该晶体管采用SMB(Surface Mountable Bipolar)封装,便于表面贴装,节省电路板空间。

参数

类型:NPN晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):16V
  集电极-基极电压(VCBO):20V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功率耗散(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C
  电流增益(hFE):在IC=2mA时为110(最小值)
  频率响应(fT):100MHz

特性

LUDZS16MBT1G晶体管具备多项优异特性。首先,其工作电压较低,VCEO为16V,适合用于低压电路中的开关和放大功能,同时具备一定的电压耐受能力,VCBO为20V,能够适应不同的电路设计需求。其次,该晶体管的最大集电极电流为100mA,适合用于中低功率的开关应用,如LED驱动、继电器控制、小型电机控制等场景。LUDZS16MBT1G的电流增益(hFE)在IC=2mA时最低为110,确保了良好的放大性能,并且在不同温度和电流条件下保持稳定。
  此外,该晶体管的频率响应高达100MHz,适用于高频开关电路和射频放大器前端设计。封装方面,LUDZS16MBT1G采用SMB封装,具有较小的体积,适合高密度PCB布局,并且具备良好的热管理能力,确保在高频率或连续工作条件下的稳定性。该器件还符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品制造。LUDZS16MBT1G的可靠性较高,能够在汽车电子等恶劣环境中稳定运行,广泛用于车载控制系统、传感器接口、电源管理模块等领域。

应用

LUDZS16MBT1G晶体管适用于多种电子应用。在数字电路中,它可以作为开关元件,用于控制LED、继电器、小型直流电机等负载。在模拟电路中,由于其良好的电流增益特性和高频响应,常用于低噪声前置放大器、射频信号放大器和音频放大器设计。此外,该晶体管也广泛应用于电源管理系统,例如DC-DC转换器中的驱动电路、负载开关和过流保护电路。在汽车电子领域,LUDZS16MBT1G可用于车身控制模块(BCM)、车灯控制、传感器信号处理等场景,其耐温性能和高可靠性使其在汽车环境中表现优异。消费类电子产品中,该晶体管可用于智能手机、平板电脑、便携式游戏机等设备的电源管理和信号处理电路中。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904

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