LUDZS10BT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双向 TVS(瞬态电压抑制器)二极管。该器件设计用于保护敏感的电子设备免受静电放电 (ESD)、感应雷击和其他瞬态电压事件的影响。
它具有低电容特性,适合高速数据线和高频应用。由于其出色的箝位性能和高浪涌能力,LUDZS10BT1G 能够在不中断系统运行的情况下吸收和耗散过压能量。
类型:双向TVS二极管
最大反向工作电压:±10V
击穿电压:±12.8V
最大箝位电压:±22.5V
峰值脉冲电流:±23A
电容:6pF(典型值)
结电容:7pF(最大值)
响应时间:≤1ps
漏电流:≤1μA(最大值,@VRWM)
封装形式:DO-214AC (SMAJ)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
LUDZS10BT1G 提供了强大的 ESD 保护功能,符合 IEC 61000-4-2 国际标准,能够承受 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
它具有非常低的电容值,使其非常适合用于高速信号线路保护,例如 USB、HDMI 和其他高速接口。
此外,其紧凑的封装形式使得该器件能够在空间受限的设计中轻松集成。
LUDZS10BT1G 的双向结构允许其在正负电压条件下均能提供可靠的保护,进一步增强了系统的稳定性和安全性。
该器件还具有快速响应时间,可迅速抑制瞬态电压波动,从而最大限度地减少对下游电路的影响。
LUDZS10BT1G 广泛应用于各种需要 ESD 和瞬态电压保护的场景,包括但不限于:
USB 接口保护
HDMI 接口保护
以太网端口保护
RS-232/RS-485 数据线保护
射频 (RF) 线路保护
消费类电子产品中的输入/输出端口保护
工业自动化设备中的通信总线保护
汽车电子系统中的信号线路保护
便携式设备中的电池充电接口保护
PESD10CAN, SM10A, SMBJ10CA