工作电压: 5V
　　钳位电压: 最大 12V（在指定测试电流下）
　　峰值脉冲电流: 20A（8/20μs 波形）
　　响应时间: <1ns
　　封装类型: SOT-23
　　引脚数: 6
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　存储温度范围: -65°C 至 +150°C
　　ESD 保护等级: ±30kV（接触放电）

LTW-S850DC5-AP3 提供了多通道瞬态电压保护功能，适用于需要高可靠性和高抗干扰能力的电路设计。其主要特点包括低钳位电压、快速响应时间以及高浪涌吸收能力，能够有效保护下游电路免受 ESD 和其他瞬态电压事件的损害。
　　该器件采用了先进的硅雪崩二极管技术，能够在极短的时间内将瞬态高压钳制在安全范围内，防止对敏感 IC 和电路造成损害。其低漏电流特性（通常小于 1μA）确保了在正常工作条件下对系统性能的影响最小。
　　LTW-S850DC5-AP3 采用紧凑的 SOT-23 封装，适合在空间受限的应用中使用，同时支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。由于其多通道结构，它可以同时保护多条信号线或电源线路，减少 PCB 上的元件数量和布线复杂度。
　　此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于各种环保要求严格的工业和消费类电子产品。其高可靠性设计也使其能够在恶劣的电磁环境中稳定工作，例如工业现场、汽车电子和通信设备中。

LTW-S850DC5-AP3 主要用于需要对低电压电路进行瞬态保护的应用场景。典型应用包括 USB 接口、HDMI、以太网、RS-485、CAN 总线等通信接口的 ESD 保护；也可用于便携式设备如智能手机、平板电脑、穿戴设备中的数据线和电源线保护。
　　在工业控制领域，该器件可用于 PLC、传感器、人机界面等设备的信号输入/输出保护；在汽车电子中，可用于车载娱乐系统、导航系统、CAN 通信接口等需要抗静电和浪涌保护的地方。
　　由于其低电容特性（通常小于 15pF），该器件也非常适合用于高速信号线路的保护，不会对信号完整性造成明显影响。

SMBJ5.0A, PESD5V0S1BA, ESD9C5.0ST5G