通道数：4
　　反向关态电压（VRWM）：5.0V至24.0V（根据具体型号）
　　击穿电压（VBR）：典型值为VRWM + 安全裕量
　　最大钳位电压（Vc）：依据测试条件（如Ipp为1A）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：最高可达1.5A（取决于型号）
　　响应时间（tRESP）：小于1纳秒
　　封装形式：SOT-23

LTW-4DMD6J的核心优势在于其四通道集成设计，能够为多个信号线路提供高效的瞬态电压保护，显著减少PCB布局空间。该器件的低钳位电压特性确保在瞬态事件发生时，下游电路仍能维持在一个安全的工作电压范围内，从而提高系统可靠性。此外，LTW-4DMD6J具备极快的响应时间，能够在纳秒级内对瞬态电压做出反应，有效防止敏感IC受到损坏。其高集成度和小型化封装使其非常适合用于便携式电子设备和高密度电路板设计中。
　　该TVS二极管阵列采用硅基技术，具有良好的热稳定性和长期可靠性。其工作温度范围宽，通常为-55°C至+125°C，适用于工业级和消费类应用场景。LTW-4DMD6J的低漏电流特性也确保了在正常工作电压下对系统功耗的影响最小，这对电池供电设备尤为重要。此外，该器件符合IEC 61000-4-2（ESD抗扰度）和IEC 61000-4-5（浪涌抗扰度）等相关国际标准，适合用于EMC合规性设计。

LTW-4DMD6J广泛应用于需要多通道ESD保护的场合，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携式设备中的USB 2.0、HDMI、DisplayPort和音频接口。此外，它也适用于工业控制设备、通信模块、网络设备和消费类电子产品中的信号线路保护。该器件特别适合用于对空间要求严格、需要高效瞬态电压抑制的高密度电路设计中，为高速数据线路提供可靠的安全保障。

SP3054-4UTAG
　　SMF4C24C
　　TLC723C240E