时间：2025/6/19 19:05:41
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LTVS16H7.0T5G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高速开关晶体管，专为高频电源转换和射频应用设计。该器件采用了先进的横向场效应晶体管 (HFET) 结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而在功率密度和系统效率方面表现出色。
该型号属于 LTVS 系列，广泛应用于 DC-DC 转换器、功率放大器、射频前端模块以及高速信号切换等场景。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：5A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：30nC
开关频率：高达 10MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：TO-247-3
LTVS16H7.0T5G 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：额定 700V，适用于高压环境。
2. 极低导通电阻：仅为 0.12Ω，减少传导损耗。
3. 快速开关性能：支持高达 10MHz 的开关频率，适合高频应用。
4. 小型化封装：采用 TO-247-3 封装，易于集成到紧凑型设计中。
5. 高温稳定性：能够在 -40°C 至 +125°C 的宽温度范围内稳定工作。
6. 氮化镓技术：利用 GaN 材料的优势，提供更高的功率密度和更低的热损耗。
LTVS16H7.0T5G 主要应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器：
- 在服务器电源、通信基站和工业设备中实现高效率功率转换。
2. 射频功率放大器：
- 用于无线通信设备中的功率放大级，提升输出功率和效率。
3. 能量收集与存储：
- 在太阳能微逆变器和能量回收系统中发挥重要作用。
4. 快速充电适配器：
- 提供更高效率和更小体积的解决方案。
5. 工业自动化：
- 用于电机驱动、LED 驱动和其他工业控制应用。
LTVS16H8.0T5G, LTVS16H6.5T5G
