LTV11N04 时间：2025/9/6 7:25:38 阅读：14

LTV11N04是一款由Littelfuse公司推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于高效能、高可靠性的设计场景。LTV11N04的封装形式通常为TO-220、DPAK或类似工业标准封装，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：11A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大为62mΩ（当Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装类型：TO-220、DPAK等

特性

LTV11N04具备多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻Rds(on)显著降低了在高电流应用中的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件支持较高的连续漏极电流，最大可达11A，使其适合用于高功率密度的开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。此外，LTV11N04具有良好的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠工作，从-55℃到+150℃，适应各种严苛的工作环境。
　　该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，优化了载流子流动路径，从而提升了导通性能并减少了开关损耗。其较高的栅极电压容限（±20V）增强了在复杂电路环境中的抗干扰能力，降低了因电压尖峰引起的误触发风险。另外，LTV11N04的封装设计有助于有效散热，提高长期运行的稳定性。例如，TO-220封装具备较大的金属片面积，可直接安装在散热器上，实现良好的热管理。
　　对于电路设计人员来说，LTV11N04不仅提供了高性能指标，还具有良好的可替代性和兼容性。它与多种常见的功率MOSFET引脚兼容，便于在已有设计中进行替换或升级。

应用

LTV11N04的应用领域非常广泛，主要集中在需要高效率、高可靠性和紧凑设计的电力电子设备中。典型应用包括但不限于开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器件、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统(BMS)中的充放电控制、负载开关电路、电机驱动器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其低Rds(on)和高电流能力，LTV11N04特别适合用于需要高效能和小体积设计的便携式设备，如笔记本电脑电源适配器、USB电源充电器、LED照明驱动器等。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及电池供电的电动车控制系统等，满足汽车级工作温度和可靠性的要求。
　　在工业应用中，LTV11N04可用于可编程逻辑控制器(PLC)、工业电源模块、智能电表以及太阳能逆变器等设备中的功率开关或控制电路。