LTU02N65A是一款由Lonten Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电压和高电流应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及优良的开关性能,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。LTU02N65A采用了TO-252(DPAK)封装形式,能够在紧凑空间中实现高效能的功率控制。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):10A
工作温度范围:-55°C至150°C
导通电阻(RDS(on)):最大值为0.85Ω(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):125W
封装形式:TO-252(DPAK)
LTU02N65A具备多个显著的电气和热性能优势,首先是其高达650V的漏源电压(VDS),使其适用于高压电源应用。该MOSFET的导通电阻较低,在VGS=10V时最大为0.85Ω,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外,LTU02N65A的连续漏极电流为10A,能够支持中高功率负载。
该器件采用了先进的平面工艺技术,确保了优异的稳定性和耐用性。TO-252(DPAK)封装不仅提供了良好的热管理,还增强了机械强度,适用于需要紧凑布局的PCB设计。同时,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常可兼容标准的10V至15V驱动电路,便于与多种控制芯片配合使用。
在开关性能方面,LTU02N65A表现出较低的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),减少了开关过程中的能量损耗,提升了高频操作的效率。这使得该器件在DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制以及负载开关等应用中表现优异。
LTU02N65A因其高耐压、低导通电阻和优良的开关特性,被广泛应用于各种电力电子设备中。典型的应用包括开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、LED照明驱动电路以及工业电机控制电路。此外,由于其良好的热稳定性和封装设计,LTU02N65A也适用于需要高可靠性的家电控制模块和电动车充电系统。
在开关电源中,LTU02N65A可用于主功率开关,负责高效地转换输入电压。在DC-DC转换器中,它作为同步整流器件或主开关,有助于提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中,该MOSFET可作为H桥电路的一部分,实现电机方向和速度的精确控制。另外,由于其高栅极驱动兼容性,该器件可以轻松与PWM控制器配合使用,实现精确的电源管理。
STP10NM65N, FQA10N65C, IRFGB40N65B, FDPF10NM65S, SIHP02N65C