类型：单向TVS二极管
　　封装/外壳：SOD-123
　　击穿电压（Vbr）：7.37V 至 8.15V（典型值8V）
　　反向关态电压（Vrwm）：6.6V
　　最大钳位电压（Vc）：11.2V（在Ipp = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：5A（最大值）
　　峰值脉冲功率（Ppk）：50W（8/20μs电流波形）
　　漏电流（Ir）：≤ 1μA（在Vrwm下）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单向

LTT66G具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在纳秒级时间内响应电压突变，迅速将过电压钳制在安全水平，防止下游电路受到损害。其低动态电阻特性确保了在大电流冲击下的低钳位电压表现，提高了系统的整体保护效率。该器件采用高纯度半导体材料和先进的钝化工艺，保证了稳定的电气特性和长久的使用寿命。SOD-123小型表面贴装封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。LTT66G的反向漏电流极低，在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，特别适合用于电池供电或低功耗系统中。其坚固的结构设计能承受多次重复性浪涌冲击而不发生性能退化，表现出卓越的耐久性。此外，该TVS二极管通过AEC-Q101认证的可能性较高，适用于对可靠性要求较高的汽车电子应用场景。器件无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色环保制造流程。由于其精确的击穿电压容差和一致的批次稳定性，LTT66G在批量生产中可提供高度可预测的保护性能，减少产品失效风险。
　　LTT66G的设计优化使其在面对IEC 61000-4-2（ESD）和IEC 61000-4-5（浪涌）等电磁兼容性测试时表现出色，能够满足多种国际安全标准的要求。其单向导通特性适用于直流电源线保护，避免反向电压对负载造成影响。在实际应用中，LTT66G常被部署在电源输入端口、USB接口、GPIO引脚或其他易受外部干扰的节点处，形成第一道防线。与传统的齐纳二极管相比，TVS二极管具有更高的能量吸收能力和更快的响应速度，是现代电子系统中不可或缺的保护元件之一。

LTT66G广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子设备中，典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的充电接口与数据端口保护；工业控制系统中的传感器信号线和PLC输入输出模块的浪涌防护；通信设备中的以太网端口、RS-232/RS-485接口的ESD抑制；以及汽车电子中的车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的电源与信号线路保护。此外，该器件也适用于家用电器中的微控制器单元（MCU）供电引脚保护，防止开关机过程中的电压反弹或外部静电干扰导致芯片损坏。在物联网（IoT）设备中，由于其常常暴露于复杂电磁环境且依赖长期稳定运行，LTT66G可用于保护无线模块（如Wi-Fi、Bluetooth、Zigbee）的天线馈线和电源轨。其小型封装和高性能特点使其成为高密度PCB布局的理想选择，尤其适合空间受限但需高可靠性的应用场合。

SMAJ6.6A
　　SMCJ6.6A
　　P6KE6.8A
　　ESD9X6.6V