类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　漏极-源极导通电阻（Rds(on)）：最大1.7mΩ（@Vgs=10V）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：200A（@Tc=25°C）
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TSA
　　导通延迟时间：约15ns
　　上升时间：约30ns
　　关断延迟时间：约25ns
　　下降时间：约15ns

LTSA-C170KEKT具备多项关键特性，使其适用于高性能电源设计。首先，其极低的Rds(on)值可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达200A的连续漏极电流，适用于大功率应用。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性，TSA封装提供良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度。其快速的开关特性（包括导通延迟、上升时间、关断延迟和下降时间）可减少开关损耗，从而进一步提升整体效率。LTSA-C170KEKT还具有良好的抗雪崩能力，可在突发过压条件下提供额外的保护。此外，该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。

LTSA-C170KEKT广泛应用于各种高功率密度和高效率电源系统。其典型应用包括服务器电源、通信设备电源、电动汽车充电系统、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率管理模块。由于其高电流能力和良好的热性能，该MOSFET也适用于需要高可靠性和稳定性的汽车电子系统。

Si7352DP-T1-GE3, IPPB200N10N3GKSA1, FDS4410AS, IPW60R095C6