类型：单向TVS二极管
　　封装形式：PowerDI18
　　反向击穿电压（Vbr）：2.01V 至 2.23V
　　工作电压（Vrwm）：1.8V
　　最大箝位电压（Vc）：6.0V（在Ipp = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：5.0A（根据IEC 61000-4-2标准）
　　峰值脉冲功率（Ppk）：30W（8/20μs电流波形）
　　漏电流（Ir）：小于1μA（在Vrwm下）
　　响应时间：小于1ps
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单向

LTR18EZPJ1R8具备出色的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内响应并抑制来自静电放电（ESD）、雷击感应或开关噪声等引起的瞬态过电压。其核心优势之一是极低的工作电压（Vrwm为1.8V），使其非常适合用于低压逻辑电路和现代低功耗集成电路的保护，例如3.3V或更低供电系统的信号线防护。该器件的反向击穿电压范围为2.01V至2.23V，在达到阈值后能迅速进入雪崩导通状态，有效限制电压上升，防止损坏后续电路。
　　该TVS二极管采用PowerDI18封装，体积小巧，占用PCB面积小，便于在高密度布局的印刷电路板上使用。同时，该封装具有良好的热传导性能，有助于在大电流瞬态事件中快速散热，提升器件的可靠性和寿命。其最大箝位电压仅为6.0V（在1A峰值电流下），确保即使在瞬态冲击期间，被保护线路的电压也不会超过安全限值。
　　此外，LTR18EZPJ1R8符合IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电，±15kV空气放电）等国际电磁兼容性标准，能够提供高等级的ESD防护能力。其小于1μA的漏电流保证了在正常工作状态下对系统功耗的影响几乎可以忽略不计，特别适用于电池供电设备。响应时间低于1皮秒，意味着它能在纳秒级甚至更快的时间尺度内动作，远快于大多数半导体器件的损坏速度，从而实现真正的“先发制人”式保护。
　　该器件还具备优异的循环耐久性，可多次承受规定的峰值脉冲电流而不发生性能退化，适合长期运行在恶劣电磁环境中的应用。整体结构采用无铅焊接兼容设计，支持自动化贴片生产流程，提升了制造效率与产品一致性。

LTR18EZPJ1R8常用于各类电子设备中对敏感电路节点进行过压保护，尤其适用于需要应对频繁静电放电的场合。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的USB接口、HDMI端口、音频插孔和触摸屏信号线的ESD防护。在通信模块中，可用于保护RS-232、I2C、SPI、UART等低速数据线路免受外部干扰影响。
　　在工业控制领域，该TVS二极管可用于PLC输入输出端口、传感器信号调理电路以及人机界面（HMI）设备的按键和显示连接线保护。由于其具备较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），也适合部署在高温或低温环境下运行的设备中。
　　在汽车电子系统中，LTR18EZPJ1R8可用于车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块、车内照明控制单元等非动力总成相关的低压电路保护。尽管其功率等级为30W，不适合用于直接吸收大型浪涌（如负载突降），但作为二级保护器件与更大功率TVS或压敏电阻配合使用时，仍能发挥重要作用。
　　此外，该器件也常见于医疗电子设备、物联网终端节点和智能家居控制器中，用于提升系统的电磁抗扰度和长期运行稳定性。其小型化封装和高性能特性的结合，使其成为现代高集成度电子产品中不可或缺的基础保护元件之一。