时间：2025/9/6 4:13:28
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LTP120N10 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，具有高电流、低导通电阻和高耐压能力。该器件采用先进的技术制造，具有出色的热性能和高可靠性，适用于多种功率电子应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为6.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6或TO-220
安装类型：通孔或表面贴装
LTP120N10 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，能够承受较大的负载电流，同时保持较低的温升。其高耐压特性使其适用于多种高电压应用场景。
该MOSFET的封装设计优化了散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。其栅极驱动电压范围宽，可在4V至20V之间正常工作，兼容多种驱动电路。LTP120N10还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
此外，LTP120N10具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关损耗，提高开关速度。其快速的开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。
LTP120N10广泛应用于电源管理、电机控制、电动汽车、工业自动化、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、逆变器以及各种高功率电子设备中。它适用于需要高电流、高效率和高可靠性的场合，例如电动工具、电源适配器、太阳能逆变器等。
STP120N10F, FDP120N10, IPW120N10S2-07
