LTP120N10 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET,具有高电流、低导通电阻和高耐压能力。该器件采用先进的技术制造,具有出色的热性能和高可靠性,适用于多种功率电子应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):120A
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值为6.5mΩ(在VGS=10V时)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6或TO-220
安装类型:通孔或表面贴装
LTP120N10 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,提供了极低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有较高的电流处理能力,能够承受较大的负载电流,同时保持较低的温升。其高耐压特性使其适用于多种高电压应用场景。
该MOSFET的封装设计优化了散热性能,有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。其栅极驱动电压范围宽,可在4V至20V之间正常工作,兼容多种驱动电路。LTP120N10还具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
此外,LTP120N10具有较低的输入电容和输出电容,有助于减少开关损耗,提高开关速度。其快速的开关特性使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流电路。
LTP120N10广泛应用于电源管理、电机控制、电动汽车、工业自动化、电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器、逆变器以及各种高功率电子设备中。它适用于需要高电流、高效率和高可靠性的场合,例如电动工具、电源适配器、太阳能逆变器等。
STP120N10F, FDP120N10, IPW120N10S2-07