类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：160A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤2.8mΩ（在Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LTP-2688AHR MOSFET具备一系列优异的电气和热性能特性，使其在高功率密度和高效率的电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压下仅为2.8毫欧左右，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，高达160A的连续漏极电流能力使其能够胜任高电流负载的应用需求，例如服务器电源、电动工具和工业电机控制等。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有快速开关特性，减少了开关损耗并提高了响应速度。
　　在热管理方面，TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，即使在高功率工作条件下也能保持较低的结温，确保器件稳定可靠运行。其工作温度范围覆盖-55℃至+175℃，适应了广泛的工作环境，包括高温和恶劣工业环境。
　　从可靠性和安全性的角度来看，LTP-2688AHR具有高栅极氧化层耐压（±20V），避免了栅极击穿的风险，并且具备较高的雪崩能量承受能力，提高了器件在异常工作条件下的耐用性。这些特性使得LTP-2688AHR在各类电源管理系统中成为一款值得信赖的高性能功率开关器件。

LTP-2688AHR凭借其高电流承载能力、低导通电阻和良好的热性能，广泛应用于多种电源管理系统和高功率电子设备中。在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关元件，实现高效的电压转换，适用于服务器电源、通信设备电源模块和便携式设备的充电电路。在负载开关应用中，LTP-2688AHR可用于控制大电流负载的通断，例如LED照明驱动、风扇控制和继电器替代方案，其快速开关特性有助于减少开关过程中的能量损耗。
　　此外，该MOSFET在电池管理系统中也有重要应用，特别是在电动工具、电动自行车和储能系统中，用于实现电池充放电管理、保护电路以及能量回收系统。由于其优异的导通性能和高可靠性，LTP-2688AHR也可用于电机驱动电路，特别是在需要高效率和高稳定性的工业自动化设备和家电产品中。
　　其他应用包括电源分配系统、UPS不间断电源、逆变器和功率放大器等。其TO-252封装形式也使其适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和系统集成度。

SiR182DP-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, FDS6680, NVTFS5C471NLWTAG