时间：2025/9/6 5:30:20
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LTP-158FFKF 是一款由ROHM（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池管理系统等应用。LTP-158FFKF采用表面贴装型封装，便于自动化生产并提高热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：150V
漏极电流（ID）：80A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：10.8mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220F（表面贴装）
LTP-158FFKF具有多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高功率密度设计。其次，该MOSFET采用先进的沟槽结构技术，提高了电流承载能力和热稳定性，有助于在高温环境下维持稳定性能。
该器件的高栅极绝缘强度（±20V）增强了抗过压能力，提升了系统可靠性。此外，LTP-158FFKF的TO-220F封装设计具有良好的热传导性能，能有效将热量从芯片传导至散热器，适用于高功率应用场景。其表面贴装封装形式也便于PCB布局和自动化组装，降低了制造成本。
在短路和过流保护方面，LTP-158FFKF表现出较强的耐受能力，适合用于电机驱动、电源开关和逆变器等对可靠性和稳定性要求较高的系统。此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，可在极端工况下提供额外的安全保障。
LTP-158FFKF适用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备以及电机驱动器等。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于高效率、高功率密度的电源模块设计。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，LTP-158FFKF也可作为关键的功率开关元件使用。
R6015KNX、SiHP15N150SGD、FDMS86180、IPB180N15N3 G
