时间：2025/9/5 16:09:13
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LTL5L3BRDS 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（通常为 TSMT6 封装），具备良好的热性能和低导通电阻特性，适合用于电源转换、电机控制、负载开关和 DC-DC 转换器等场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA（@Vgs=10V）
导通电阻（Rds(on)）：最大 5.3Ω（@Vgs=10V）
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSMT6（表面贴装）
LTL5L3BRDS 的主要特性包括低导通电阻、小型化封装、优异的热稳定性以及适用于高频开关操作。其低 Rds(on) 特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的抗冲击能力和稳定的栅极控制性能，适用于对空间和效率要求较高的便携式设备和电源管理系统。
该 MOSFET 的封装设计支持自动贴片工艺，便于大批量生产，并具备良好的散热能力。同时，其较高的 Vgs 额定电压（±20V）提供了更强的栅极驱动兼容性，可与多种控制器或驱动 IC 配合使用。LTL5L3BRDS 还具有较低的输入电容，有助于减少开关损耗并提升响应速度，适用于 PWM 控制等高频应用场景。
LTL5L3BRDS 常用于低功耗 DC-DC 转换器、电池供电设备中的负载开关、电机驱动电路、LED 背光控制、传感器信号切换、便携式电子设备电源管理以及各种小型开关电路中。其优异的性能使其成为对空间、功耗和效率都有较高要求的嵌入式系统中的理想选择。
LTL5L3BRLT、2N7002、FDV301N、Si2302DS、DMN61D8LVT
