时间：2025/9/5 23:42:48
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LTL30EKFGJ是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场合。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效率，适合高频率开关操作。LTL30EKFGJ采用紧凑的DFN5x6封装，具备良好的热性能和空间利用率，适用于对空间和效率要求较高的现代电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：90A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：DFN5x6
功率耗散（Pd）：120W
栅极电荷（Qg）：44nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2100pF（典型值）
LTL30EKFGJ具备多项优良特性，适用于高性能功率转换应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，同时在高电流负载下保持较低的温升。器件采用先进的Trench沟道技术，使得在相同的芯片面积下实现更高的电流承载能力和更低的开关损耗。
LTL30EKFGJ支持高频率开关操作，适用于现代高效能开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使其在高频应用中具备快速开关响应能力，减少动态损耗。
该器件的DFN5x6封装具有优异的热性能，有助于提高散热效率，延长器件寿命，并且节省PCB空间，适合高密度设计。LTL30EKFGJ还具备良好的抗雪崩能力，可在高应力环境下稳定工作。
此外，该MOSFET具有较强的过载和短路承受能力，适用于负载开关、电池管理系统（BMS）和电机驱动等对可靠性要求较高的场合。
LTL30EKFGJ广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机控制以及汽车电子中的功率模块。其高效的性能和紧凑的封装使其特别适合用于服务器电源、电信设备、便携式充电设备和高功率LED照明驱动电路。
NTMFS5C433NLZG, SiR344DP-T1-GE3, FDS4410AS, FDD3440, FDD3442
