时间：2025/9/5 18:36:17
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LTL30EKDKGK是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能、高频率的电源管理应用而设计，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等场景。LTL30EKDKGK采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，能够在较高的开关频率下工作，同时保持较低的功率损耗。其采用的DFN5x6封装形式具有较小的封装尺寸和优良的散热能力，适合空间受限的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）@25°C：110A
最大连续漏极电流（Id）@100°C：70A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：5.7mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：7.5mΩ
最大功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN5x6
LTL30EKDKGK具有多项出色的电气和热性能，能够满足高性能电源管理系统的需求。
首先，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为5.7mΩ，而在Vgs=4.5V时为7.5mΩ，这使得它适用于多种栅极驱动电压条件下的应用，提高了设计的灵活性。
其次，LTL30EKDKGK的最大漏极电流在25°C下可达110A，在高温（100°C）环境下仍能提供70A的连续电流，表现出良好的电流承载能力，适用于高功率密度的设计。
此外，该器件采用了DFN5x6封装技术，具有较小的封装尺寸（5mm x 6mm），同时具备优异的热管理性能，有助于提高散热效率，适用于高密度PCB布局和空间受限的应用场景。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持从4.5V到10V的驱动电压，兼容多种控制电路和驱动IC，适用于广泛的电源管理拓扑结构。
最后，LTL30EKDKGK具有较高的可靠性，适用于工业级工作温度范围（-55°C至150°C），可在各种恶劣环境下稳定运行。
LTL30EKDKGK广泛应用于多个高性能电源管理领域。在DC-DC转换器中，它可作为主开关器件，用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效率的电压转换。在同步整流电路中，该MOSFET可用于替代传统二极管，降低导通压降，提高整体效率。在电机控制和负载开关电路中，其高电流承载能力和低导通电阻特性可实现快速、高效的功率切换。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电源分配系统、服务器和电信电源设备等对效率和热管理有高要求的应用场景。
SiR340DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, FDS6680, IPB013N04NG
