类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3 A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：20 V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.075 Ω @ VGS=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：8.5 nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：UMD3

LTL2V3UEK MOSFET 具备一系列优异的电气特性和设计优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。该特性在电池供电设备中尤为重要，有助于延长设备的工作时间。
　　其次，LTL2V3UEK 支持高达 3A 的连续漏极电流，并在 20V 的漏极-源极电压下稳定工作，使其适用于多种中低功率应用。器件的栅极驱动电压范围较宽（最高可达 ±12V），确保了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　此外，该 MOSFET 的高速开关特性使其在高频 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。LTL2V3UEK 还具备良好的热稳定性和抗过热能力，能够在高负载条件下保持可靠运行。
　　采用 UMD3 小型封装，LTL2V3UEK 在节省 PCB 空间的同时，也便于自动化生产和表面贴装工艺。这使得它非常适合用于便携式电子设备、智能传感器、小型电机驱动器等对空间和性能均有较高要求的设计。

LTL2V3UEK 主要用于需要高效能和小型化设计的电子系统中。其典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关控制、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及各种便携式消费类电子产品中的电源管理模块。此外，该器件也广泛应用于工业控制设备、通信模块和传感器系统中，作为高效的开关元件使用。

Si2302DS、2N7002K、FDV301N、DMG3415V