时间：2025/9/6 3:32:39
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LTL2R3VEKNT是一款由ROHM（罗姆）半导体公司制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高效率和高性能应用而设计，适用于各种电子设备中的电源管理与开关控制。其封装形式为SOT-223，便于在印刷电路板（PCB）上安装并提供良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100mA
漏极-源极电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(on)）：5.5Ω @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-223
LTL2R3VEKNT具有较低的导通电阻，使其在开关过程中能够提供较高的效率和较低的功率损耗。该MOSFET采用小型SOT-223封装，适合空间受限的设计。此外，它的工作温度范围宽，能够在极端环境下稳定工作，增强了其在工业和汽车应用中的适用性。LTL2R3VEKNT的栅极驱动电压范围适中，支持与常见的逻辑电平兼容，便于设计和使用。
该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，能够承受短时间的过载条件。ROHM在制造过程中采用了严格的工艺控制，确保了器件的高一致性和长寿命。这些特性使LTL2R3VEKNT成为便携式设备、传感器电路、LED驱动以及小型电源转换器等应用的理想选择。
LTL2R3VEKNT常用于需要低功耗和高效率的小型电源管理系统中，如电池供电设备、USB电源管理、DC-DC转换器以及负载开关。此外，它也可用于汽车电子系统中的传感器接口和控制电路，工业自动化设备中的小型电机驱动，以及消费类电子产品中的LED背光控制。由于其封装形式和电气特性，LTL2R3VEKNT也适合用于高频开关应用。
Si2302DS、FDV301N、2N7002、DMG3415V、BSS138
