类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：210mΩ（最大值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSMT6（双侧引脚表面贴装）

LTL2R3KGKNN 具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体能效。其次，该 MOSFET 的高耐压特性（20V Vds）使其能够适用于多种中低压电源管理应用。此外，该器件采用小型 TSMT6 封装，有助于节省 PCB 空间，适合于高密度电路设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±8V，确保了良好的栅极控制性能。同时，其连续漏极电流能力达到 3A，足以满足大多数中等功率应用的需求。LTL2R3KGKNN 还具有良好的热稳定性，可在宽温度范围内可靠运行，适应各种工作环境。
　　另外，LTL2R3KGKNN 在高频开关应用中表现出色，具有快速开关能力和较低的开关损耗，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统等场景。其优异的可靠性使其成为工业控制、消费类电子和汽车电子中的理想选择。

LTL2R3KGKNN 常用于以下应用领域：
　　? 电源管理系统中的负载开关控制
　　? DC-DC 转换器和升压/降压调节器
　　? 电池供电设备中的电源管理模块
　　? 电机驱动电路和小型马达控制
　　? 工业自动化设备中的信号开关
　　? 消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）中的电源管理电路
　　? 汽车电子系统中的低电压控制电路

2N7002K, DMN61D8LVT