类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管数量：2个
　　晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：300V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　噪声系数：4dB
　　封装类型：SOT-26
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LTL2R3KGD-EM的主要特性之一是其两个NPN晶体管的高度匹配性，这对于差分放大器和电流镜等应用至关重要。由于它们在同一芯片上制造，因此具有相同的电气特性和热特性，能够有效减少温度漂移和增益误差。此外，该器件的高频响应和低噪声特性使其非常适合用于射频（RF）放大器和前置放大器等应用。
　　另一个显著特点是其低功耗设计，LTL2R3KGD-EM能够在较低的电源电压下工作，适用于电池供电设备和低功耗系统。同时，该器件的SOT-26封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产，提高了生产效率和可靠性。
　　该晶体管阵列还具备较高的耐压能力，最大集电极-发射极电压可达300V，适合用于高压开关和放大应用。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和航空航天等领域。

LTL2R3KGD-EM广泛应用于需要高精度和高稳定性的模拟电路中，例如差分放大器、运算放大器的输入级、电流镜和有源负载电路。在音频设备中，该器件可用于前置放大器和功率放大器，提供低噪声和高保真音质。
　　在射频（RF）和通信系统中，LTL2R3KGD-EM的高频响应和低噪声特性使其适用于RF放大器、混频器和振荡器等电路。此外，该器件还可用于传感器接口电路，特别是在需要高灵敏度和低漂移的测量系统中。
　　由于其低功耗和小型化封装，LTL2R3KGD-EM也适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路和信号处理模块。在汽车电子领域，该器件可用于车载音频系统、传感器信号调理电路以及车身控制模块等应用。

LT1363CS8#PBF
　　LT1028CN8#PBF
　　LMH6624MF
　　AD8099ARTZ-R7
　　OPA2227UA/2K5