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LTL2P3VEKNT 发布时间 时间:2025/9/5 16:30:25 查看 阅读:5

LTL2P3VEKNT 是一款由 Rohm(罗姆)半导体公司推出的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等应用领域。LTL2P3VEKNT 通常采用紧凑型封装,有助于节省电路板空间,并提供良好的热性能。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:30V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  最大连续漏极电流 Id:100A
  最大功耗 Pd:100W
  导通电阻 Rds(on):1.2mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:PowerSSO-24

特性

LTL2P3VEKNT 具备多项优良特性,使其在高性能功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了在高电流下的导通损耗,从而提高了系统效率并减少了对散热器的需求。该特性对于高功率密度设计尤为重要。
  其次,该 MOSFET 支持高达 100A 的连续漏极电流,使其能够胜任需要大电流驱动的应用,例如电动工具、电源模块和工业控制系统。此外,LTL2P3VEKNT 采用先进的封装技术,具备良好的热管理性能,确保在高负载条件下仍能维持稳定的运行温度。
  该器件还具有较高的栅极电压容限(±20V),增强了在复杂电路环境中的稳定性和可靠性,降低了因过电压导致损坏的风险。其宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)也使其适用于各种恶劣工作环境,包括汽车电子和工业自动化设备。
  此外,LTL2P3VEKNT 的 PowerSSO-24 封装形式不仅节省空间,还提供了优良的电气连接和机械稳定性,适用于表面贴装工艺,便于自动化生产和组装。

应用

LTL2P3VEKNT 常见于需要高效能功率开关的电子系统中。其典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、电源分配系统、服务器和通信设备的电源模块等。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、起停系统以及电动助力转向系统等关键应用。由于其高电流能力和低导通电阻,LTL2P3VEKNT 也广泛应用于高功率 LED 驱动器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等新能源领域。此外,该 MOSFET 在便携式电子设备的电源管理单元中也发挥着重要作用,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源转换模块。

替代型号

SiSS288N, SQJ428E, IRF6723, FDS6680, IPD90N03C

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