时间：2025/9/5 16:30:25
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LTL2P3VEKNT 是一款由 Rohm（罗姆）半导体公司推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等应用领域。LTL2P3VEKNT 通常采用紧凑型封装，有助于节省电路板空间，并提供良好的热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：100A
最大功耗 Pd：100W
导通电阻 Rds(on)：1.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerSSO-24
LTL2P3VEKNT 具备多项优良特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流下的导通损耗，从而提高了系统效率并减少了对散热器的需求。该特性对于高功率密度设计尤为重要。
其次，该 MOSFET 支持高达 100A 的连续漏极电流，使其能够胜任需要大电流驱动的应用，例如电动工具、电源模块和工业控制系统。此外，LTL2P3VEKNT 采用先进的封装技术，具备良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能维持稳定的运行温度。
该器件还具有较高的栅极电压容限（±20V），增强了在复杂电路环境中的稳定性和可靠性，降低了因过电压导致损坏的风险。其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于各种恶劣工作环境，包括汽车电子和工业自动化设备。
此外，LTL2P3VEKNT 的 PowerSSO-24 封装形式不仅节省空间，还提供了优良的电气连接和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和组装。
LTL2P3VEKNT 常见于需要高效能功率开关的电子系统中。其典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、服务器和通信设备的电源模块等。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、起停系统以及电动助力转向系统等关键应用。由于其高电流能力和低导通电阻，LTL2P3VEKNT 也广泛应用于高功率 LED 驱动器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等新能源领域。此外，该 MOSFET 在便携式电子设备的电源管理单元中也发挥着重要作用，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源转换模块。
SiSS288N, SQJ428E, IRF6723, FDS6680, IPD90N03C
