晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

LTL2H3VFKNT 晶体管具备一系列优异的电气性能，适合多种应用场景。首先，该晶体管的最大集电极电流为100mA，可以满足中等功率放大和开关的需求，同时其集电极-发射极电压和集电极-基极电压均达到30V，使其能够在较高电压环境中稳定运行。其次，LTL2H3VFKNT 的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，根据等级不同，用户可以根据设计需求选择合适的增益等级，从而优化电路性能。
　　此外，LTL2H3VFKNT 采用了SOT-23封装，体积小巧，适合在空间受限的电路中使用，例如便携式电子产品和小型化设备。这种封装还提供了良好的热性能，确保在正常工作条件下的可靠性。晶体管的工作温度范围通常为-55°C至150°C，因此能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。
　　该晶体管具有较低的饱和压降（Vce_sat），在开关应用中能够减少功率损耗并提高能效。同时，其高频特性（增益带宽积为100MHz）使其适用于中高频放大电路，例如射频（RF）信号处理和数字逻辑电路中的驱动应用。

LTL2H3VFKNT 主要用于通用晶体管应用，包括模拟和数字电路中的信号放大、开关控制、缓冲器设计以及逻辑电路的驱动部分。在消费类电子产品中，如手机、平板电脑和音频设备中，该晶体管可用于信号放大和电源管理。在工业控制系统中，它可用于继电器驱动、传感器信号处理和马达控制等场景。
　　此外，该晶体管在通信设备中也有广泛应用，例如用于射频信号放大、低噪声前置放大器和中频放大电路。由于其优异的开关特性和低饱和压降，LTL2H3VFKNT 在数字电路中经常被用作逻辑门的驱动元件，或者作为晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路的一部分。
　　在电源管理电路中，LTL2H3VFKNT 可用于稳压器设计、DC-DC转换器和LED驱动电路。在汽车电子系统中，它可以用于车灯控制、车载娱乐系统和传感器信号处理模块。

MMBT3904, BC847, 2N3904, PN2222A