时间：2025/9/5 21:43:33
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LTL2H3VEK 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电子电路中。这款 MOSFET 设计用于中低功率的开关应用，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于各种电源管理和负载开关场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源电压 (VDS)：20 V
最大栅源电压 (VGS)：±12 V
导通电阻 (RDS(ON))：最大 8.3 mΩ（在 VGS=10 V 时）
功率耗散 (PD)：100 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：H3VE-VK
LTL2H3VEK 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率。
该 MOSFET 的最大漏极电流为 30 A，适用于中高功率应用，能够支持较大的负载电流。
在热性能方面，其封装设计提供了良好的散热能力，确保在高功率操作下仍能维持稳定性能。
此外，LTL2H3VEK 采用 ROHM 的先进半导体技术制造，具有优异的可靠性和耐用性，适合在严苛的环境条件下使用。
器件的栅极驱动电压范围较宽，能够在不同的控制电路中灵活使用，同时保证了器件的快速开关性能。
封装采用 H3VE-VK 标准，提供了优良的机械强度和焊接可靠性，便于自动化生产装配。
器件的高耐压特性（20 V 漏源电压）使其适用于多种电压等级的电源管理系统。
LTL2H3VEK 常用于电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的功率控制。
它也适用于需要高效能和高稳定性的汽车电子系统，如车载充电器和电机控制器。
此外，该 MOSFET 还被广泛应用于工业自动化设备、电机驱动器以及各类消费电子产品中的电源管理电路。
由于其高可靠性和耐久性，该器件非常适合在要求苛刻的工业和汽车环境中使用。
RBAU20H3VEK, RBV20H3VEK
