类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3.0 A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：20 V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±8 V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 8.5 mΩ（在 VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：2.0 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）

LTL2H3UEKS MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，能够满足高效率和高可靠性的设计需求。其低导通电阻特性有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件在高频开关条件下表现良好，适用于开关电源、电机驱动和同步整流等高频率应用场景。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 1.8V 至 8V 之间正常工作，使其适用于多种控制 IC 和微控制器的直接驱动。此外，其良好的热稳定性确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　采用 SOP 封装形式，使 LTL2H3UEKS 在 PCB 上占据的空间较小，同时具有良好的焊接可靠性和散热性能。这使其适用于便携式设备、笔记本电脑、通信设备以及工业控制系统中的电源管理模块。

LTL2H3UEKS MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? DC-DC 转换器：用于调节电压并提高电源转换效率。
　　? 负载开关：在便携式电子设备中用于控制电源分配。
　　? 电池管理系统：用于保护电池并优化能量使用。
　　? 电机驱动：适用于小型电机的高效控制电路。
　　? 电源管理单元：用于智能电源分配和节能控制。

RNM2H3UENX、RNM2H3UEKS、Si2302DS、FDN306P、DMN6024LVT-13