时间：2025/9/6 2:18:21
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LTL2H3KGKNN是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，设计用于高效率和高可靠性应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等场景。其封装形式为SOP，适合表面贴装，具有良好的热管理和空间利用率。
类型：N沟道
最大漏极电流：3.6A
最大漏源电压：30V
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω @ VGS=10V
栅极电荷：14nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP
LTL2H3KGKNN的主要特性包括低导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其高电流处理能力使其在高负载条件下依然能够保持稳定性能。此外，该器件具有快速开关特性，适合高频应用，有助于减小外部元件尺寸并提高整体系统性能。LTL2H3KGKNN的热阻较低，可有效散发工作过程中产生的热量，确保长期可靠运行。该器件还具备良好的抗静电能力，增强了在复杂电磁环境下的稳定性。
该MOSFET采用SOP封装，具有较小的外形尺寸，便于在紧凑型设计中使用。其引脚布局优化了电气性能，降低了寄生电感的影响，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。LTL2H3KGKNN适用于多种工业和消费类电子设备，在需要高可靠性和高效能的场景中表现出色。
LTL2H3KGKNN广泛应用于各类电源管理系统，如电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。它也常用于工业自动化设备、通信基础设施以及消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电。此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动和汽车电子系统，满足多种高要求应用的需求。
Si2302DS-T1-GE3
FDN340P
NDS355AN
