LTL2H3EZ1K是一款由ROHM Semiconductor生产的双通道、低导通电阻(Low RDS(on))N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench栅极结构技术,具有高效率和高性能。该器件封装为SOP(Small Outline Package)8引脚形式,适用于需要高效能和小型化设计的功率管理应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):4A(每个通道)
导通电阻(Rds(on)):最大值为60mΩ(Vgs=4.5V)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOP-8
LTL2H3EZ1K的主要特性包括采用先进的Trench栅极结构,可显著降低导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗并提高能效。其低导通电阻使其在高电流应用中具有优异的性能表现,同时降低了热量的产生,提高了系统的稳定性。
该MOSFET具有双通道设计,允许在一个封装中集成两个独立的MOSFET器件,适用于需要多通道控制的应用场景。双通道设计有助于减少PCB布局的复杂性,并提升系统的集成度。
此外,LTL2H3EZ1K的SOP-8封装形式非常适用于空间受限的设计,同时支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。其工作温度范围广泛,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适应多种环境条件。
这款器件的栅极驱动电压为4.5V至12V,兼容标准逻辑电平,方便与微控制器或其他驱动电路配合使用。由于其低栅极电荷(Qg)特性,LTL2H3EZ1K在开关过程中可减少驱动损耗,提高整体效率。
LTL2H3EZ1K广泛应用于各类便携式电子产品、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理系统中。其双通道结构特别适合需要独立控制两个功率路径的应用,如双路电源切换或双负载驱动。
在电源管理领域,LTL2H3EZ1K可用于高效能同步整流器、负载开关或电池保护电路。在消费类电子产品中,该器件适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其他需要高效能功率管理的设备。
此外,该MOSFET还可用于工业自动化控制系统、小型电机控制模块、LED照明驱动电路以及各类低电压高效率电源转换器。由于其良好的热稳定性和低导通损耗,LTL2H3EZ1K也适用于热敏感环境下的长期运行应用。
Si2302DS, 2N7002, BSS138, FDN340P, AO3400