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LTL2H3EZ1K 发布时间 时间:2025/9/6 9:28:41 查看 阅读:4

LTL2H3EZ1K是一款由ROHM Semiconductor生产的双通道、低导通电阻(Low RDS(on))N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench栅极结构技术,具有高效率和高性能。该器件封装为SOP(Small Outline Package)8引脚形式,适用于需要高效能和小型化设计的功率管理应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4A(每个通道)
  导通电阻(Rds(on)):最大值为60mΩ(Vgs=4.5V)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOP-8

特性

LTL2H3EZ1K的主要特性包括采用先进的Trench栅极结构,可显著降低导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗并提高能效。其低导通电阻使其在高电流应用中具有优异的性能表现,同时降低了热量的产生,提高了系统的稳定性。
  该MOSFET具有双通道设计,允许在一个封装中集成两个独立的MOSFET器件,适用于需要多通道控制的应用场景。双通道设计有助于减少PCB布局的复杂性,并提升系统的集成度。
  此外,LTL2H3EZ1K的SOP-8封装形式非常适用于空间受限的设计,同时支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。其工作温度范围广泛,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适应多种环境条件。
  这款器件的栅极驱动电压为4.5V至12V,兼容标准逻辑电平,方便与微控制器或其他驱动电路配合使用。由于其低栅极电荷(Qg)特性,LTL2H3EZ1K在开关过程中可减少驱动损耗,提高整体效率。

应用

LTL2H3EZ1K广泛应用于各类便携式电子产品、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理系统中。其双通道结构特别适合需要独立控制两个功率路径的应用,如双路电源切换或双负载驱动。
  在电源管理领域,LTL2H3EZ1K可用于高效能同步整流器、负载开关或电池保护电路。在消费类电子产品中,该器件适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其他需要高效能功率管理的设备。
  此外,该MOSFET还可用于工业自动化控制系统、小型电机控制模块、LED照明驱动电路以及各类低电压高效率电源转换器。由于其良好的热稳定性和低导通损耗,LTL2H3EZ1K也适用于热敏感环境下的长期运行应用。

替代型号

Si2302DS, 2N7002, BSS138, FDN340P, AO3400

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LTL2H3EZ1K参数

  • 现有数量9,804现货
  • 价格1 : ¥3.54000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 颜色红色
  • 配置标准
  • 透镜颜色无色
  • 透镜透明度透明
  • 毫烛光等级12000mcd
  • 透镜样式圆形,带圆顶
  • 透镜尺寸5mm,T-1 3/4
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)2V
  • 电流 - 测试20mA
  • 视角15°
  • 安装类型通孔
  • 波长 - 主625nm
  • 波长 - 峰值626nm
  • 特性-
  • 封装/外壳径向
  • 供应商器件封装T-1 3/4
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度(最大值)9.10mm