时间：2025/9/5 22:49:42
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LTL2F7JRTNN是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。这款器件主要设计用于高电流、高电压应用场景，例如电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动电路等。LTL2F7JRTNN采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻和高效的功率转换性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏-源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
LTL2F7JRTNN的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。这使得它非常适合用于需要高电流能力的应用，如电池供电系统或电源模块。此外，该器件具有良好的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
另一个关键特性是其高耐压能力，在60V的漏-源电压下能够可靠工作，适用于各种电源转换和调节电路。该MOSFET还具备快速开关能力，有助于降低开关损耗，提高系统的整体能效。
封装方面，LTL2F7JRTNN采用HSON（Hybrid Small Outline Non-leaded）封装，这种封装形式提供了良好的热管理和空间节省优势，非常适合在高密度PCB设计中使用。
LTL2F7JRTNN通常用于高性能电源系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其低导通电阻和高电流能力，它也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。
Renesas的IPD100N06S4-03、Infineon的BSC100N06LS、ON Semiconductor的NTMFS5C628NLTSG、STMicroelectronics的STP100N6F6AG
