类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（最大值）
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSMT6（超小型表面贴装）

LTL1CHJRKNN 是一款适用于低功率应用的高性能 MOSFET，具有优异的电气特性和稳定的工作性能。其主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，使其非常适合用于高频开关电路。由于采用了先进的硅工艺技术，LTL1CHJRKNN 在高温环境下仍能保持良好的稳定性和可靠性。
　　该器件的 TSMT6 封装设计不仅节省空间，而且便于在 PCB（印刷电路板）上进行高密度布局。此外，其低功耗设计有助于减少系统整体能耗，从而延长电池供电设备的使用时间。LTL1CHJRKNN 还具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下维持稳定的性能。
　　这款 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路设计，并能够与常见的逻辑电平（如 3.3V 和 5V）兼容。这使得它在嵌入式系统、便携式设备和传感器控制电路中具有广泛的应用潜力。

LTL1CHJRKNN 通常用于低功率电源管理电路，例如电池供电设备的开关控制、LED 驱动、信号开关、逻辑电平转换以及小型 DC-DC 转换器。此外，它也可用于便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和智能家居控制器。
　　在工业控制领域，LTL1CHJRKNN 可用于传感器信号切换、继电器驱动和微控制器接口电路。其紧凑型封装和低功耗特性也使其适用于物联网（IoT）设备和无线传感器网络中的电源管理模块。

2N7002, 2N3904, BSS138, FDV301N, Si2302DS